中国政府网 中华人民共和国科学技术部 湖南省政府门户网站
繁体 政务邮箱 无障碍 登录 注册 欢迎您！

您当前的位置： 首页   >  信息公开   >  湖南科技

核心技术引领产业发展—我国成功实现8英寸IGBT芯片产业化，打破国际垄断

湖南省科学技术厅门户网站 发布时间： 2014-06-24 00:00 【字体: 大中小】
 

6月20日，国内首条、世界第二条的8英寸IGBT（绝缘栅双极型晶体管）专业芯片生产线在中国南车株洲电力机车研究所有限公司（以下简称南车株洲所）建成，中国首片8英寸IGBT芯片同时下线。这条生产线总投资15亿元，首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块，真正实现IGBT的国产化。它的投产将打破国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断，对于保障国民经济安全、推动两型社会建设具有重大战略意义。

为实现我国在高端IGBT芯片产业化关键技术上的突破，国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项”重点支持南车株洲所牵头开展了攻关，省科技厅将该项目列入“省承接国家科技重大专项成果转化专项”和“省战略性新兴产业科技攻关与重大科技成果转化项目”重点项目，对南车株洲所进行了连续支持。经过多年的研发，南车株洲所攻克了30多项重大难题，终于掌握了IGBT产品设计、芯片制造、模块封装测试、可靠性试验、系统应用等成套技术，成功研制出从650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模块，形成了IGBT的完整产业链。其产业规模和技术实力都达到了国际领先水平，特别是在沟槽技术、高能离子注入、超薄片加工、激光退火与铜金属化工艺等关键技术的运用方面都走在国际前列。

以核心技术的突破为牵引，南车株洲所投资15亿元建成了国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线。此次8英寸IGBT专业芯片线全面建成投产后，年产值预计可突破20亿元，将打破国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断，实现对进口IGBT的全面替代。同时，按照全球IGBT技术发展趋势，南车株洲所正在研发第五代、预研第六代IGBT技术，以持续确保我国在IGBT产业上的技术支撑与核心竞争力。
扫一扫在手机打开当前页
< img src=" "/>

核心技术引领产业发展—我国成功实现8英寸IGBT芯片产业化，打破国际垄断

9890057